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多孔碳硅烷CVD沉积碳包覆一体真空炉


  • 产品描述
    • 商品名称: 多孔碳硅烷CVD沉积碳包覆一体真空炉

    应用领域:

    多孔碳材料CVD沉积   甲烷、乙炔CVD碳包覆

    工艺特点:

    本设备采用粉体雾化转流化先进工艺使CVD沉积更充分;

    特殊的多弧形坩埚避免藏料,全范围无死角;

    高速的雾化及一体炉双重的工艺,使硅碳包覆更均匀就把硅烷利用率提高90%以上;

    5层真空室使用硅烷气体安全得到保证上。 

    型 号

    外型尺寸

    装载量

    工作温度

    极限温度

    真空度

    总功率

    气氛类别

    设备重量

    MGB140-120-200HL2

    6000*5000*5000

    200KG

    400℃~800℃

    1000℃

    1-2.5Pa

    230KW

    SiH4/CH4

    10T

关键词:

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